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TD351ID、TD351IN、TD351IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD351ID TD351IN TD351IDT

描述 MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics先进的IGBT / MOSFET驱动器 Advanced IGBT/MOSFET DriverTD351 系列 26 V 750 mA 表面贴装 高级 IGBT/MOSFET 驱动器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SO-8

电源电压(DC) 26.0V (max) 26.0V (max) 26.0V (max)

上升/下降时间 100ns (Max) 100ns (Max) 100ns (Max)

输出接口数 1 1 1

输出电压 28.3 V 28.3 V -

供电电流 2.5 mA 2.50 mA 2.50 mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

上升时间 100 ns - 100 ns

下降时间 100 ns - 100 ns

下降时间(Max) 100 ns 100 ns 100 ns

上升时间(Max) 100 ns 100 ns 100 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

电源电压 12V ~ 26V 12V ~ 26V 12V ~ 26V

电源电压(Min) 12 V 12 V 12 V

输出电流 - - 10 mA

静态电流 - - 2.5 mA

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.25 mm - -

封装 SOIC-8 DIP-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99