IXTP05N100、IXTU05N100、IXTA05N100HV对比区别

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型号 IXTP05N100 IXTU05N100 IXTA05N100HV

描述 IXTP 系列 单 N沟道 1000 V 17 Ohm 40 W 高压 Mosfet - TO-220ABMosfet n-Ch 1000V 750mA To-251Mosfet n-Ch 1kV 750mA To263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-263-3

通道数 1 - -

漏源极电阻 17 Ω - -

极性 N-CH - -

耗散功率 40 W 40W (Tc) 40W (Tc)

阈值电压 4.5 V - -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

漏源击穿电压 1000 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.75A - -

上升时间 19 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)

下降时间 28 ns - 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

长度 10.41 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 16 mm - -

封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

香港进出口证 NLR - -