BLT80T/R、BLT80,115、BLT80对比区别

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型号 BLT80T/R BLT80,115 BLT80

描述 TransistorTrans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R超高频功率晶体管 UHF power transistor

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 二极管双极性晶体管晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 4

封装 - TO-261-4 SOT-223

电源电压(DC) - - 7.50 V

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 2 W 2 W

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @150mA, 5V 25

测试频率 - - 900 MHz

直流电流增益(hFE) - 25 25

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

电源电压 - - 7.5 V

输出功率 - 0.8 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 - TO-261-4 SOT-223

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -