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NSR0520V2T1G、NSR0520V2T5G、PMEG2010AEB,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSR0520V2T1G NSR0520V2T5G PMEG2010AEB,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSR0520V2T1G  小信号肖特基二极管, 单, 20 V, 500 mA, 480 mV, 2 A, 125 °CSchottky Barrier Diode, 500mA, 20V 20V SOD-523 SCHOTTKY DIO1A 至 1.5A,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

针脚数 3 - -

正向电压 480mV @500mA 480mV @500mA 620mV @1A

耗散功率 200 mW - -

热阻 600℃/W (RθJA) - 75℃/W (RθJL)

反向恢复时间 12 ns 12 ns -

最大反向电压(Vrrm) 20V - -

正向电流 500 mA 500 mA 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 2 A - 6 A

最大反向漏电流(Ir) 30uA - -

正向电压(Max) 480 mV - 620 mV

正向电流(Max) 500 mA 500 mA 1 A

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 340 mW 340 mW -

工作结温 - - 150℃ (Max)

长度 1.3 mm - 1.25 mm

宽度 0.9 mm - 0.85 mm

高度 0.7 mm 0.6 mm 0.65 mm

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 8000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17