STD120N4F6、STD86N3LH5、IRFR4104PBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 STD120N4F6 STD86N3LH5 IRFR4104PBF

描述 N沟道40 V ， 3.5 MI © ， 80 A， DPAK ， D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFETN沟道30 V ， 0.0045欧姆， 80 A， DPAK的STripFET V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ohm , 80 A, DPAK STripFET V Power MOSFETN沟道 40V 42A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0045 Ω 5.5 mΩ

耗散功率 110 W 70 W 140 W

阈值电压 4 V 1.8 V 4 V

输入电容 - 1850 pF -

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 40 V

上升时间 70 ns 14 ns 69.0 ns

输入电容(Ciss) 3850pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 70 W 140 W

下降时间 20 ns 10.8 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 42.0 A

极性 - - N-Channel

产品系列 - - IRFR4104

漏源击穿电压 - - 40.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 42.0 A

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -