锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS42S16800E-6TL、IS42S16800F-6TL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16800E-6TL IS42S16800F-6TL

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 150 mA 120 mA

位数 - 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅