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DB155G、DF1506S、DF1506S-T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DB155G DF1506S DF1506S-T

描述 Diode Rectifier Bridge Single 600V 1.5A 4Pin Case DBSURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERBridge Rectifier Diode, 1.5A, 600V V(RRM),

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Zowie Technology (智威) Comchip Technology (上华科技)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 4 - -

封装 EDIP-4 - -

正向电压 1.1V @1.5A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A - -

正向电流(Max) 1.5 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

高度 3.3 mm - -

封装 EDIP-4 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -