IRF7341PBF、IRF7341TRPBF对比区别

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型号 IRF7341PBF IRF7341TRPBF

描述 INFINEON  IRF7341PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF7341TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 2 W 2 W

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.05 Ω 0.043 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 4.7A 4.7A

上升时间 3.2 ns 3.2 ns

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

下降时间 13 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

通道数 - 2

产品系列 - -

输入电容 - 740 pF

漏源击穿电压 - 55 V

热阻 - 62.5℃/W (RθJA)

长度 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17