PD84010-E、PD84010S-E、PD84010TR-E对比区别

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型号 PD84010-E PD84010S-E PD84010TR-E

描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 870 MHz 870 MHz 870 MHz

额定电流 8 A 8 A -

耗散功率 95000 mW 95 W 95000 mW

输出功率 2 W 10 W 2 W

增益 16.3 dB 16.3 dB 16.3 dB

测试电流 300 mA 300 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 77pF @7V(Vds) 77pF @7V(Vds) 77pF @7V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 95000 mW 95000 mW 95000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

长度 - 7.5 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 3.5 mm 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -