IRFP26N60LPBF、STW18NM60N、IXTH26N60P对比区别
型号 IRFP26N60LPBF STW18NM60N IXTH26N60P
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 VN沟道 600V 26A
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 250 mΩ 0.26 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 470 W 110 W 460 W
阈值电压 5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 13A 26.0 A
上升时间 110 ns 15 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 5020pF @25V(Vds) 1000pF @50V(Vds) 4150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 470 W 110 W -
下降时间 42 ns 25 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 470000 mW 110W (Tc) 460W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 26.0 A
输入电容 - - 4.15 nF
栅电荷 - - 72.0 nC
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -