FDS6982、STS8DNF3LL、STS9D8NH3LL对比区别

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型号 FDS6982 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL

描述 双N沟道，笔记本电脑电源MOSFET Dual N-Channel, Notebook Power Supply MOSFETSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-830V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 8.60 A 8.00 A -

漏源极电阻 15 mΩ 0.02 Ω -

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 2.2 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.60 A, 6.30 A 8.00 A 8A/9A

上升时间 11.0 ns 32 ns -

输入电容(Ciss) 760pF @10V(Vds) 800pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.6 W 2 W

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

输入电容 2.09 nF - -

栅电荷 18.5 nC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -