FDB6035AL、FDB8880对比区别

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型号 FDB6035AL FDB8880

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

漏源极电阻 12.5 mΩ 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 58.0 W 55 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 54.0 A

针脚数 - 3

阈值电压 - 2.5 V

上升时间 - 107 ns

输入电容(Ciss) - 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 55 W

下降时间 - 51 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 55 W

额定电流 - 54.0 A

输入电容 - 1.24 nF

栅电荷 - 22.0 nC

封装 TO-263 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 11.33 mm

高度 - 4.83 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99