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CY7C1021CV33-10VXC、CY7C1021DV33-10VXI、AS7C31026B-10JCN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1021CV33-10VXC CY7C1021DV33-10VXI AS7C31026B-10JCN

描述 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit (64K x 16) Static RAMCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1021DV33-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1Mb, 并行口, 10NS, SOJ-44SRAM 1M, 3.3V, 10ns, FAST 64K x 16 Asynch SRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 BSOJ-44 SOJ-44 SOJ-44

引脚数 - 44 -

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

存取时间 - 10 ns 10 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 3 V 3 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) -

供电电流 - 60 mA -

针脚数 - 44 -

位数 - 16 -

内存容量 - 125000 B -

存取时间(Max) - 10 ns -

封装 BSOJ-44 SOJ-44 SOJ-44

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - 3A991.b.2.b -

香港进出口证 - NLR -