CY7C1314KV18-300BZXC、CY7C1314KV18-333BZC对比区别
型号 CY7C1314KV18-300BZXC CY7C1314KV18-333BZC
描述 18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ? II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 165
封装 FBGA-165 FBGA-165
位数 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 0.45 ns -
电源电压(Max) 1.9 V -
电源电压(Min) 1.7 V -
封装 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead