NTD4302G、NTD4302T4G、NTD4302T4对比区别

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型号 NTD4302G NTD4302T4G NTD4302T4

描述 功率MOSFET 68 A， 30 V ，NA ????频道DPAK Power MOSFET 68 A, 30 V, N−Channel DPAKON SEMICONDUCTOR  NTD4302T4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.9 V 新功率MOSFET 68安培， 30伏特（ N沟道DPAK ） Power MOSFET 68 Amps, 30 Volts(N−Channel DPAK)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 68.0 A 68.0 A 68.0 A

漏源极电阻 7.8 mΩ 0.0078 Ω 7.80 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 75 W 1.04W (Ta), 75W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 68.0 A 18.5 A 68.0 A

上升时间 - 15.0 ns 15.0 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @24V(Vds) 2400pF @24V(Vds) 2400pF @24V(Vds)

耗散功率(Max) 1.04W (Ta), 75W (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc) 1.04W (Ta), 75W (Tc)

通道数 1 - -

输入电容 2.40 nF - -

栅电荷 80.0 nC - -

额定功率(Max) 1.04 W 1.04 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1.9 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99