NTB23N03RG、NTB23N03RT4G、NTB23N03RT4对比区别

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型号 NTB23N03RG NTB23N03RT4G NTB23N03RT4

描述 功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK23A,25V功率MOSFET功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 23.0 A 23.0 A 23.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 32 mΩ 32 mΩ 32.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 37.5 W 37.5 W 37.5 W

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

漏源击穿电压 25 V 25 V 25.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 23.0 A 23.0 A

上升时间 14.9 ns 14.9 ns 14.9 ns

输入电容(Ciss) 225pF @20V(Vds) 225pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) 37.5 W 37.5 W -

下降时间 2 ns 2 ns 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 37.5 W 37.5 W -

输入电容 225 pF - -

栅电荷 3.76 nC - -

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -