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JANTXV2N3999、NTE75、2N3999对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV2N3999 NTE75 2N3999

描述 NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTORNPN 5APower Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Solitron Devices

分类 双极性晶体管分立器件

基础参数对比

引脚数 4 - -

封装 TO-59 - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @1A, 2V - -

额定功率(Max) 2 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 2000 mW - -

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 5A -

封装 TO-59 - -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -