DS1230Y-70-IND、DS1230AB-70IND+、DS1230AB-70+对比区别

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型号 DS1230Y-70-IND DS1230AB-70IND+ DS1230AB-70+

描述 NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 4.75V (min) 5.00 V, 5.25 V (max)

时钟频率 70.0 GHz - 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.75 V

针脚数 - 28 28

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

长度 39.12 mm 39.12 mm 39.12 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Each Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)