锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

NSBC114YDXV6T1G、PEMH4,115、NSBC114YDXV6T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSBC114YDXV6T1G PEMH4,115 NSBC114YDXV6T1

描述 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor TransistorsNXP  PEMH4,115  单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 300 mW, 100 mA, 200 hFE双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

针脚数 - 6 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W 300 mW 357 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) 80 - 80

高度 0.55 mm 0.6 mm 0.55 mm

封装 SOT-563-6 SOT-666 SOT-563-6

长度 1.6 mm - 1.6 mm

宽度 1.2 mm - 1.2 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -