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IRLU8256PBF、STU85N3LH5、PHU101NQ03LT,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLU8256PBF STU85N3LH5 PHU101NQ03LT,127

描述 Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3Pin(3+Tab) IPAKSTMICROELECTRONICS  STU85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

耗散功率 63 W 70 W 166 W

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1470pF @13V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 2180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 63 W 70 W 166 W

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 166W (Tc)

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0046 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 25.0 A 40.0 A -

上升时间 - 14 ns -

下降时间 - 10.8 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

产品系列 IRLU8256 - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 2.4 mm -

高度 - 6.9 mm -

工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -