IS42S32400F-7BLI、IS42S32400F-7TLI、IS42S32400F-7TL对比区别
型号 IS42S32400F-7BLI IS42S32400F-7TLI IS42S32400F-7TL
描述 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, ITDRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86Pin TSOP-IIRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 90 86 86
封装 BGA-90 TSOP-86 TSOP-86
供电电流 100 mA 100 mA 100 mA
位数 32 32 32
存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns
存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 3 V - 3 V
长度 - - 22.42 mm
宽度 - - 10.29 mm
高度 - - 1.05 mm
封装 BGA-90 TSOP-86 TSOP-86
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 PB free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99