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RN1201、RN1101(TE85L)、DTC143E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1201 RN1101(TE85L) DTC143E

描述 Mini NPN 50V 100mASSM NPN 50V 100mANPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 Mini SSM TO236AB

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 100 mW -

封装 Mini SSM TO236AB

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free