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IRFR3504ZTRPBF、IRFR4104TRPBF、IRFR3504ZTRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3504ZTRPBF IRFR4104TRPBF IRFR3504ZTRLPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.00823 ohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 40V 77A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 42.0 A - -

额定功率 90 W 140 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.00823 Ω 0.0043 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 90 W 140 W 90W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 77.0 A 119A 77A

上升时间 74 ns 69 ns 74 ns

输入电容(Ciss) 1510pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds) 1510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 140 W -

下降时间 38 ns 36 ns 38 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 140W (Tc) 90W (Tc)

输入电容 - 2950 pF -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -