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KMZ10A、KMZ10B,112、KMZ51对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KMZ10A KMZ10B,112 KMZ51

描述 Magnetic field sensor板机接口霍耳效应/磁性传感器 SENSOR MAGNETIC磁科幻场传感器 Magnetic field sensor

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 地磁传感器主动器件

基础参数对比

引脚数 - 4 -

封装 - SOT-195-4 SO

耗散功率 - 120 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 120 mW -

电源电压 - 5V ~ 12V 5 V

封装 - SOT-195-4 SO

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -