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CY7C10612DV33-10ZSXI、CY7C1061DV18-15ZSXI、CY7C10612G30-10ZSXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C10612DV33-10ZSXI CY7C1061DV18-15ZSXI CY7C10612G30-10ZSXI

描述 16兆位( 1M ×16 )静态RAM 16-Mbit (1M x 16) Static RAM静态随机存取存储器 16Mb 15ns 1.8V 1Mx16 Fast Async 静态随机存取存储器SRAM Chip Async Single 3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 54Pin TSOP-II

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 54 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

供电电流 - 150 mA -

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 15 ns -

存取时间(Max) 10 ns 15 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 1.7V ~ 2.2V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

高度 1.05 mm 1.05 mm -

封装 TSOP-54 TSOP-54 TSOP-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a