BLT80-T、BLT80,115、BLT80T/R对比区别

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型号 BLT80-T BLT80,115 BLT80T/R

描述 UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTORTrans RF BJT NPN 10V 0.25A 2000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/RTransistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类 双极性晶体管二极管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-261-4 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 2 W -

输出功率 - 0.8 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @150mA, 5V -

额定功率(Max) - 2 W -

直流电流增益(hFE) - 25 -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW -

封装 - TO-261-4 -

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -