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JAN1N5519BUR-1、JANTXV1N5519BUR-1、JAN1N747AUR-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5519BUR-1 JANTXV1N5519BUR-1 JAN1N747AUR-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 DO-213AA-2 DO-213AA -

引脚数 - 2 -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.6 V 3.6 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

测试电流 - 20 mA -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-213AA-2 DO-213AA -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 -