1N5525A、JANTX1N5525B-1、JAN1N5525B对比区别

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型号 1N5525A JANTX1N5525B-1 JAN1N5525B

描述 DO-35 6.2V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-7

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35-2 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 400 mW 417 mW -

测试电流 - 1 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 5.08 mm -

封装 DO-35 DO-35-2 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -