IPA50R380CEXKSA2、SIHA12N50E-E3对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPA50R380CEXKSA2 SIHA12N50E-E3

描述 TO-220 整包晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 29.2 W -

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.34 Ω 0.33 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 29.2 W 32 W

阈值电压 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 9.9A 10.5A

上升时间 5.6 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 584pF @100V(Vds) 886pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 29.2 W -

下降时间 8.6 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 29.2W (Tc) 32000 mW

长度 10.65 mm -

宽度 4.9 mm -

高度 16.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free