锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS42S32800D-75ETLI、IS42S32800J-75ETLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-75ETLI IS42S32800J-75ETLI

描述 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133MHz @ CL2, 86Pin TSOP II RoHS, IT

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86

位数 32 32

存取时间(Max) 5.5 ns 7.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

供电电流 - 170 mA

存取时间 - 6 ns

封装 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅