IRGPS60B120KD、IRGPS60B120KDP对比区别

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型号 IRGPS60B120KD IRGPS60B120KDP

描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINFINEON  IRGPS60B120KDP  单晶体管, IGBT, 105 A, 2.75 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 - Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-274 TO-274

额定功率 - 595 W

针脚数 - 3

耗散功率 - 595 W

击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V

反向恢复时间 - 180 ns

额定功率(Max) - 595 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 595000 mW 595 W

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

极性 - -

产品系列 - -

上升时间 - -

长度 - 16.1 mm

宽度 - 5.5 mm

高度 - 20.8 mm

封装 TO-274 TO-274

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - -

ECCN代码 - EAR99