IXTP1N80P、IXTY1N80P对比区别

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型号 IXTP1N80P IXTY1N80P

描述 TO-220 N-CH 800V 1ATO-252AA N-CH 800V 1A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-252-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 42 W 42W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 1A 1A

上升时间 - 18 ns

输入电容(Ciss) 250pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds)

下降时间 - 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc)

通道数 1 -

漏源极电阻 10 Ω -

阈值电压 4 V -

漏源击穿电压 800 V -

封装 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free