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IR2181S、IR2181SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2181S IR2181SPBF

描述 600V High and Low Side Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14-Lead PDIP .INFINEON  IR2181SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 625 mW

上升/下降时间 40ns, 20ns 40ns, 20ns

输出接口数 2 2

输出电压 - 10.20 V

输出电流 - 1.4.2.3 A

通道数 - 2

针脚数 - 8

耗散功率 - 625 mW

静态电流 - 240 mA

上升时间 - 60 ns

下降时间 - 35 ns

下降时间(Max) - 35 ns

上升时间(Max) - 60 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V

电源电压(Min) - 10 V

电源电压(DC) 20.0V (max) -

产品系列 IR2181 -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99