AFT26P100-4WSR3、MRF8S26060HR3、MRF8S26060HSR3对比区别

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型号 AFT26P100-4WSR3 MRF8S26060HR3 MRF8S26060HSR3

描述 RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 87W, Typ Gain in dB is 15.3 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1826射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2620-2690MHz, 15.5W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 3 3

封装 NI-780HS-4 NI-400-240 NI-400S-240

频率 2.69 GHz 2.69 GHz 2.69 GHz

无卤素状态 Halogen Free Not Halogen Free Not Halogen Free

输出功率 22 W 15.5 W 15.5 W

增益 15.1 dB 16.3 dB 16.3 dB

测试电流 200 mA 450 mA 450 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电流 10 µA - -

电源电压 28 V - -

高度 - 4.14 mm 4.14 mm

封装 NI-780HS-4 NI-400-240 NI-400S-240

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

重量 2953.3 mg - -

ECCN代码 EAR99 - -