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IRF7495、NDS8425、TPCA8022-H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7495 NDS8425 TPCA8022-H

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8Pin SOIC T/RPowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII)

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC SOIC-8 -

额定电压(DC) 100 V 20.0 V -

额定电流 7.30 A 7.40 A -

漏源极电阻 - 0.022 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

阈值电压 - 890 mV -

漏源极电压(Vds) 100 V 20 V -

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.40 A -

输入电容(Ciss) - 1098pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) -

产品系列 IRF7495 - -

上升时间 13.0 ns - -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.575 mm -

封装 SOIC SOIC-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -