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IKA06N60T、IRG4PC40UDPBF、IKW15T120对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IKA06N60T IRG4PC40UDPBF IKW15T120

描述 低损耗DUOPACK : IGBT的沟槽场终止和技术,软,恢复快反平行EMCON何二极管 Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diodeINFINEON  IRG4PC40UDPBF  单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚IGBT 分立,Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 28 W 160 W 110 W

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 28 W 160 W 110 W

上升时间 - 57.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 1200 V

反向恢复时间 123 ns 42 ns 140 ns

额定功率(Max) 28 W 160 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 160000 mW 110 W

长度 10.5 mm 15.9 mm 15.9 mm

宽度 4.7 mm 5.3 mm 5.3 mm

高度 9.7 mm 20.3 mm 20.9 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99