FQPF34N20、SPP08N80C3、STD15NF10T4对比区别

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型号 FQPF34N20 SPP08N80C3 STD15NF10T4

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETINFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 800 V 100 V

额定电流 17.5 A 8.00 A 23.0 A

额定功率 - 104 W -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 75.0 mΩ 0.56 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 104 W 70 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 800 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 17.5 A 8.00 A 23.0 A

上升时间 280 ns 15 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 3100pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 55 W 104 W 70 W

下降时间 115 ns 7 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 55W (Tc) 104W (Tc) 70W (Tc)

漏源击穿电压 200 V - 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V

长度 10.67 mm 10.36 mm 6.6 mm

宽度 4.7 mm 4.4 mm 6.2 mm

高度 16.3 mm 15.95 mm 2.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99