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1N4716-BP、JAN1N4123-1、1N4123对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4716-BP JAN1N4123-1 1N4123

描述 DO-35 39V 0.5W(1/2W)硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES0.5W(1/2W) Silicon Zener Diodes

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 0.25 mA -

稳压值 39 V 39 V -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active End of Life

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -