FDS8884、IRF7403TRPBF、IRF7403PBF对比区别

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型号 FDS8884 IRF7403TRPBF IRF7403PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8884  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 30 V, 19 mohm, 10 V, 1.7 V 新INFINEON  IRF7403TRPBF  场效应管, MOSFETTrans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8Pin SOIC Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 8.50 A 8.50 A 8.50 A

漏源极电阻 0.019 Ω 0.035 Ω 22 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7403 IRF7403

阈值电压 1.7 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.50 A 8.50 A 8.50 A

上升时间 9 ns 37 ns 37.0 ns

输入电容(Ciss) 635pF @15V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 1 - -

针脚数 8 8 -

输入电容 635 pF - -

栅电荷 13.0 nC - -

下降时间 21 ns 40 ns -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定功率 - 2.5 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2014/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -