IPI023NE7N3G、IPP023NE7N3G对比区别

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型号 IPI023NE7N3G IPP023NE7N3G

描述 OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-262 TO-220

输入电容(Ciss) - 10800pF @37.5V(Vds)

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 W

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.57 mm

高度 - 15.95 mm

封装 TO-262 TO-220

产品生命周期 Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free