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KST5550、KST5550MTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KST5550 KST5550MTF

描述 高压晶体管 High Voltage TransistorKST5550 系列 140 V 0.6 A SOT-23 表面贴装 双极晶体管

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

频率 - 300 MHz

额定电压(DC) - 140 V

额定电流 - 600 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 - 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) - 350 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 350 mW

高度 - 0.93 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99