CY7C1512KV18-250BZC、CY7C1512KV18-250BZXC、GS8662Q18BGD-250对比区别

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型号 CY7C1512KV18-250BZC CY7C1512KV18-250BZXC GS8662Q18BGD-250

描述 72m 同步 sram qdr ii+ 2 字 突发 250 MHz fbga封装 仅含铅CY7C1512KV18 系列 72 Mb (4 M x 18) 1.7 - 1.9 V QDR® II SRAM - FBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

时钟频率 250 MHz 250 MHz -

位数 18 18 -

存取时间 - 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a -