IXFT58N20、IXFT58N20Q、MTV32N20E对比区别

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型号 IXFT58N20 IXFT58N20Q MTV32N20E

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-268 N-CH 200V 58ATMOS POWER FET 32 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.075Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-268-3 TO-268-3 -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 58.0 A -

漏源极电阻 40 mΩ 40.0 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 300 W 300 W -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) - 58.0 A -

上升时间 15 ns 40 ns -

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 16 ns 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 200 V - -

封装 TO-268-3 TO-268-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free