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SMBJ188D-M3/H、SMBJ188D-M3/I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMBJ188D-M3/H SMBJ188D-M3/I

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 188V 600W 2Pin SMB T/RESD 抑制器/TVS 二极管 188V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA-2

工作电压 - 188 V

击穿电压 - 228 V

耗散功率 - 1 W

钳位电压 301 V 301 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 212 V 212 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 DO-214AA DO-214AA-2

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅