SUD50P04-08、SUD50P04-08-GE3对比区别

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型号 SUD50P04-08 SUD50P04-08-GE3

描述 VISHAY  SUD50P04-08  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 VVISHAY  SUD50P04-08-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252 TO-252

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.012 Ω 0.0067 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 3 W 73.5 W

上升时间 - 12 ns

下降时间 - 18 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 73.5 W

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm

封装 TO-252 TO-252

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99