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BSH203、BSH203,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH203 BSH203,215

描述 NXP  BSH203  晶体管, MOSFET, P沟道, -470 mA, -30 V, 0.66 ohm, -4.5 V, -680 mVBSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.66 Ω 0.66 Ω

耗散功率 417 mW 417 mW

阈值电压 - 680 mV

输入电容 - 110 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 - 4.5 ns

输入电容(Ciss) - 110pF @24V(Vds)

额定功率(Max) - 417 mW

下降时间 - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 417mW (Ta)

极性 P-Channel -

连续漏极电流(Ids) 0.47A -

长度 - 3 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -