IPB50R140CP、STB32NM50N、STP32NM50N对比区别

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型号 IPB50R140CP STB32NM50N STP32NM50N

描述 INFINEON  IPB50R140CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 550 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道500 V， 0.1 I ©典型值，22是MDmeshâ ?? ¢ II功率MOSFET在D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， TO- 247封装 N-channel 500 V, 0.1 Ω typ., 22 A MDmesh™ II Power MOSFET in D²PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.13 Ω 0.1 Ω 130 mΩ

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 192 W 190 W 190 W

阈值电压 3 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 23A - 22A

上升时间 14 ns 9.5 ns 9.5 ns

输入电容(Ciss) 2540pF @100V(Vds) 1973pF @50V(Vds) 1973pF @50V(Vds)

下降时间 8 ns 23.6 ns 23.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 192W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)

额定功率(Max) - - 190 W

长度 10 mm 10.4 mm -

宽度 9.25 mm 9.35 mm -

高度 4.4 mm 4.6 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -