锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N5551USE3、JAN1N5551US、JAN1N5551对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5551USE3 JAN1N5551US JAN1N5551

描述 整流器Diode Gen Purp 400V 3A b-Melf整流器军事批准, 5安培,一般用途 RECTIFIERS MILITARY APPROVED, 5 AMP, GENERAL PURPOSE

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 B-MELF SQ-MELF Case E

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - - 2

封装 B-MELF SQ-MELF Case E

长度 - - 7.62 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

军工级 - - Yes

正向电压 - 1.2V @9A 1.2 V

反向恢复时间 - 2 µs 2000 ns

正向电流 - - 5000 mA

正向电压(Max) - - 1.2V @9A

正向电流(Max) - - 5 A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃