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IS42S32200E-7TL、IS42S32200L-7TL、MT48LC2M32B2P-6:G TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32200E-7TL IS42S32200L-7TL MT48LC2M32B2P-6:G TR

描述 动态 RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II (400 mil) RoHSDRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II T/R

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 140 mA 90 mA 180 mA

时钟频率 - 143 MHz 166MHz (max)

位数 - 32 32

存取时间 - 5.4 ns 167 µs

内存容量 - - 64000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns -

高度 1.05 mm - 1 mm

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

长度 22.42 mm - -

宽度 10.29 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Unknown

包装方式 Tube Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -