HGTG20N60A4D、STGW35NB60SD、IXGH 30N60C2对比区别

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型号 HGTG20N60A4D STGW35NB60SD IXGH 30N60C2

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTG20N60A4D  单晶体管, IGBT, 通用, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3Pin (3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 70.0 A 35.0 A -

额定功率 190 W - -

针脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 290 W 200 W -

上升时间 12 ns 70 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

反向恢复时间 35 ns 44 ns -

额定功率(Max) 290 W 200 W -

下降时间 32 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 290000 mW 200 W -

漏源极电压(Vds) - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 70.0 A -

长度 15.87 mm 15.75 mm -

宽度 4.82 mm 5.15 mm -

高度 20.82 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -